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曹操墓新发现起争议 旁边小墓是弃墓还是长子衣冠冢

2018-06-21 18:33 来源:第一新闻网

  曹操墓新发现起争议 旁边小墓是弃墓还是长子衣冠冢

  百度坚持集约发展。“湿地是‘地球之肾’,城市湿地就是‘城市之肾’,它对城市的意义,对实现‘让城市成为人民追求更加美好生活的有力依托’的意义,无论怎么强调都不过分。

同时,从城市建设与管理的政府职能角度对城市湿地公园管理的法律责任主体进行了界定,明确了各级管理部门职能,并从管理技术的角度提出了建立动态监测数据库等信息化管理的要求。四、长远意义工业遗产作为城市原有工业活动的重要记忆以及未来社会生活的载体之一,在展示城市文化个性、拓展城市空间结构、提升城市生活品质、构建城市宜居环境、推进城市有机更新等方面发挥着重要作用。

  如何让人民生活得更加幸福、更有尊严,让社会更加公正、更加和谐,杭州一直在探寻问题的最佳答案。申请人可登录互联网、手机客户端等应用服务平台提出申请和预约办理,实现积分申请“网上办”。

  根据杭州市公安局统计,截至2017年12月25日,杭州市登记在册流动人口616万人,其中农民工数量占到70%以上。一方面要避免土地开发密度过低,造成土地资源和公共交通资源浪费;另一方面也要避免土地开发密度过高,造成公共交通服务水平降低和吸引力下降。

从“曙光”变“之光”,“良渚文明”实证了五千年的中华文明。

  从这个意义上说,构建“和谐杭州”,首先要打造“法治杭州”。

  那么,学生三点半放学后该去哪?由哪方托管最合适?目前主要有以下几个路径:1.回“家”这里的“家”指隔代老人或亲友的家。通过构建适合农民工特点、低标准缴费、低标准享受的社会保障机制和具体的保险选择、转移、接续制度,加强了农民工社会保险的覆盖面。

  有关大学、研究院所中的城市研究专门机构纷纷成立,一批国外学者有关城市科学的学术著作被介绍到国内来。

  5.传统与时尚相结合。而湿地综合保护工程是一项非常重要的城市基础设施建设,其重要性绝不亚于修路、架桥等城市基础设施建设工程。

  ”习总书记的讲话凸显了TOD导向的城市化发展模式。

  百度所有这一切,都对提高党的执政能力特别是坚持科学执政、民主执政、依法执政提出了新的要求。

  要推进道路绿化、户外广告管理、“四小车”整治、违法摊点整治、“亮灯”管理、标识标牌管理、交通隔离设施管理、架空线“上改下”、公厕和农贸市场管理等细节,真正做到“清洁、清静、亲水、绿色、无视觉污染”。对高比例流动人口项目的发展策略建议随着城中村改造、棚户区改造及城市边缘地区规划建设的规范化不断推进,城市中非正式低负担的居住空间不断被压缩,保障房越来越成为正式的中低收入住房来源。

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氧化物阻变存储器机理与性能调控

获奖项目:氧化物阻变存储器机理与性能调控

  主要完成人:刘明(中国科学院微电子研究所),刘琦(中国科学院微电子研究所),管伟华(中国科学院微电子研究所),龙世兵(中国科学院微电子研究所),王艳(中国科学院微电子研究所)

  推荐单位:中国科学院

  获奖等级:国家自然科学奖二等奖

  项目简介:

高性能数据存储是信息科学的重要基础,氧化物阻变存储器(Oxide based Resistive Random Access Memory: O-RRAM)具有优异的存储性能,是国际微电子学科的研究前沿和热点。O-RRAM的阻变机理和性能调控涉及氧化还原、载流子迁移等物理化学效应导致的材料成分、结构和能带变化,是一个挑战性难题,解决该难题将为发展新原理的信息存储奠定科学基础。

该项目在国家自然基金杰青和创新群体、科技部973等项目持续支持下,揭示了O-RRAM的高低阻态转变机理,发现了存储性能调控规律,提出了提高调控参数一致性的方法。主要科学发现如下:

1、在纳米尺度揭示了阻变机理 发展了器件原位表征的透射电子显微镜(TEM)制样方法,在纳米尺度下观察到O-RRAM导电通路形貌、结构、成分、生长/断裂等微观信息,揭示了氧化物导电桥阻变存储器中电子传输对阻变的作用机理,建立了局域氧化/还原效应主导的导电通路生长/断裂模型。惠普实验室首席科学家J. J. Yang等在Nature Nanotechnology综述中四次引用代表性论文1,并评价“在纳米尺度实时观测到阻变过程中材料成分和结构变化是非常有价值的”。

2、发现了功能层掺杂调控存储性能的规律 揭示了通过功能层掺杂降低阴阳离子(氧空位、金属离子等)形成能和迁移势垒的调控机理,发现了功能层阴阳离子分布均匀性对存储性能的作用规律,首次提出了功能层掺杂的存储性能调控方法,解决了原有O-RRAM良率低、性能差的难题。台湾交通大学曾俊元教授(IEEE Fellow)在综述中用近二页篇幅引用代表性论文4-5,并评价“刘研究组首次提出掺杂纳米晶改善阻变存储器性能的方法”。

3、提出了局域电场增强调控器件参数一致性的方法 阐明了导电通路随机生长是器件参数离散的物理本质,发现了功能层电场强度与导电通路生长速率的指数规律,提出了增强局域电场实现导电通路可控生长的方法,完成了器件制备,大幅度提高了器件参数的一致性。纽约州立大学石溪分校Likharev教授(APS/IEEE Fellow)在综述中引用代表性论文8,并评价在参数一致性的问题上“中科院(该项目组)等是最值得关注的”。

8篇代表性论文被SCI他引750次,20篇主要论文被SCI他引1158次。在EDL/TED(该领域最权威期刊)、Adv. Mater.等期刊共发表相关论文68篇,二项工作入选ITRS(国际半导体发展路线图),6篇论文入选ESI高被引论文榜。作为典型进展被莱布尼兹奖获得者Waser、纽约州立大学石溪分校卓越教授Likharev等知名学者写入15本著作和40篇综述。基于该项目的科学发现,成功研制了基于HfO2的1kb O-RRAM,电子学会组织的鉴定会结论为“电路性能国际领先”。

全部成果由该项目组独立完成。第一完成人是杰青和创新群体负责人,973项目首席科学家,第二、四完成人获国家优秀青年基金,第二完成人获卢嘉锡青年人才奖。第一完成人在重要国际会议做邀请报告30次。该项目主要成果获得2015年度中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖。

 

 项目主要完成人

 

阻变存储器简介

 

阻变模型与机理

 

性能调控规律

 

参数一致性方法

 


基于HfO2的1kb RRAM

 

 

 

 

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